[实用新型]一种平板式PECVD石墨框有效
| 申请号: | 202120126354.6 | 申请日: | 2021-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN215050683U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 赵洪俊;宛正;李影 | 申请(专利权)人: | 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 224400 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种平板式PECVD石墨框,包括石墨框本体,在所述石墨框本体的凹槽底部的一侧直角边或平行的一组直角边的位置设置为倾斜面,在所述凹槽的顶部,沿着所述石墨框本体的四周边框还设置了一对直角三棱柱挡板,位于两侧的所述三棱柱挡板的斜面朝向凹槽的内侧设置。本实用新型的PECVD石墨框一方面通过在凹槽的底边的一侧边缘将底部的直角加工为倾斜面,从而将硅片向上抬高,改善边缘色差问题;另一方面通过在凹槽的顶部的边框设置三角形挡板,避免传输过程中的硅片的跳片现象,从而降低了导致发生镀膜不良问题的几率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 平板 pecvd 石墨 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





