[实用新型]一种平板式PECVD石墨框

说明书

本实用新型公开了一种平板式PECVD石墨框，包括石墨框本体，在所述石墨框本体的凹槽底部的一侧直角边或平行的一组直角边的位置设置为倾斜面，在所述凹槽的顶部，沿着所述石墨框本体的四周边框还设置了一对直角三棱柱挡板，位于两侧的所述三棱柱挡板的斜面朝向凹槽的内侧设置。本实用新型的PECVD石墨框一方面通过在凹槽的底边的一侧边缘将底部的直角加工为倾斜面，从而将硅片向上抬高，改善边缘色差问题；另一方面通过在凹槽的顶部的边框设置三角形挡板，避免传输过程中的硅片的跳片现象，从而降低了导致发生镀膜不良问题的几率。

技术领域

本实用新型属于太阳能制造设备领域，具体涉及一种平板式PECVD石墨框。

背景技术

现有技术中，平板式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是目前产业生产中主要使用的设备，平板式PECVD在生产过程中需要用到载体石墨框。在镀膜的过程中，由于石墨框边框也会沉积氮化硅，导致电池片靠近边框的沉积速率变慢引起膜厚差异从而形成边缘色差。另外在传输过程中因传输的平稳性会导致的电池片从石墨框的凹槽中跳出，产生镀膜不良的现象。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提出一种平板式PECVD石墨框。

实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种平板式PECVD石墨框，包括石墨框本体，在所述石墨框本体的凹槽底部的一侧直角边或平行的一组直角边的位置设置为倾斜面，在所述凹槽的顶部，沿着所述石墨框本体的四周边框还设置了直角三棱柱挡板，所述三棱柱挡板的斜面朝向凹槽的内侧方向设置。

作为本实用新型的进一步改进，所述的倾斜面平行于石墨框运行的方向。

作为本实用新型的进一步改进，所述倾斜面与所述凹槽底面的夹角为15°-60°，所述倾斜面所对应的高度为所述凹槽深度的0.6-0.8倍。

作为本实用新型的进一步改进，所述三棱柱挡板的斜面与所述石墨框本体的边框的夹角为15°-60°，所述三棱柱挡板的高度为2-5mm。

作为本实用新型的进一步改进，所述三棱柱挡板采用固定的方式设置在所述凹槽顶部的边框上，所述三棱柱挡板的斜面对应于下方的棱边与所述边框位于内侧的边缘线重合。

作为本实用新型的进一步改进，所述三棱柱挡板的高度大于或等于所述倾斜面的倾斜高度。

本实用新型的有益效果：本实用新型的PECVD石墨框一方面通过在凹槽的底边的一侧边缘将底部的直角加工为倾斜面，从而将硅片向上抬高，改善边缘色差问题；另一方面通过在凹槽的顶部的边框设置三角形挡板，避免传输过程中的硅片的跳片现象，从而降低了导致发生镀膜不良问题的几率。

附图说明

图1本实用新型的石墨框的平面结构示意图；

图2本实用新型的石墨框一种实施例的剖面结构示意图；

其中：1-石墨框本体，2-凹槽，3-倾斜面，4-三棱柱挡板。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

下面结合附图对本实用新型的应用原理作详细的描述。

如图1-2所改进的平板式PECVD石墨框，包括石墨框本体1，主要的改进点为以下两点：

一、在所述石墨框本体1的凹槽2底部的一侧直角边或平行的一组直角边的位置设置为倾斜面3。