[发明专利]电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法在审
| 申请号: | 202111669616.4 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN114369819A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | 张雷;龚凯凯;黄耀纬;黄先彬;洪秀发 | 申请(专利权)人: | 九江德福科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C22/77 | 分类号: | C23C22/77;C23C22/86 |
| 代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 唐忠庆 |
| 地址: | 332000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法,包括硅烷搅拌桶,所述硅烷搅拌桶通过管道一与硅烷供给桶连接,所述管道一上设有蠕动泵,所述硅烷供给桶通过管道二与过滤器的入口连接,所述管道二上设有离心泵二,所述离心泵二与离心泵一并联,所述过滤器的出口分别通过管道与表面处理机的入口、轻元素X射线荧光分析仪的入口连接。本发明能够实现硅浓度范围为600‑2500ppm硅烷溶液的检测及自动调节,而且自动调节精度高、可靠性强、过程能力提升显著,能大幅度提升电子电路铜箔抗剥离性能,满足覆铜板客户对电子电路铜箔更低粗糙度、更高抗剥离强度的物理性能指标的要求。 | ||
| 搜索关键词: | 电子电路 铜箔 表面 硅烷 处理 浓度 控制 装置 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
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