[发明专利]电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置及方法

权利要求书

1.一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置，其特征在于，包括硅烷搅拌桶（1），所述硅烷搅拌桶（1）通过管道一（2）与硅烷供给桶（3）连接，所述管道一（2）上设有蠕动泵（4），所述硅烷供给桶（3）通过管道二（6）与过滤器（7）的入口连接，所述管道二（6）上设有离心泵二（16），所述离心泵二（16）与离心泵一（15）并联，所述过滤器（7）的出口分别通过管道与表面处理机（9）的入口、轻元素X射线荧光分析仪（10）的入口连接，所述表面处理机（9）的出口、所述轻元素X射线荧光分析仪（10）的出口分别通过管道与所述硅烷供给桶（3）连接；

位于所述表面处理机（9）入口端的管道上设有截止阀一（5）和超声波流量计（11），位于所述轻元素X射线荧光分析仪（10）入口端的管道上设有所述截止阀二（8），所述硅烷供给桶（3）上设有温度传感器（12）和压差变送器一（13），所述硅烷搅拌桶（1）上设有压差变送器二（17），所述超声波流量计（11）、所述轻元素X射线荧光分析仪（10）、所述温度传感器（12）、所述压差变送器一（13）及所述压差变送器二（17）均与DCS系统通信连接，所述DCS系统与PLC控制器连接。

2.根据权利要求1所述的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置，其特征在于，所述蠕动泵（4）、所述离心泵二（16）和所述离心泵一（15）两端分别设有截止阀，所述蠕动泵（4）、所述离心泵二（16）和所述离心泵一（15）均采用变频电机VFD（14）驱动。

3.根据权利要求1所述的表面硅烷化处理的恒浓度控制装置，其特征在于，所述过滤器（7）的顶部设有截止阀三（18），所述管道二（6）靠近所述过滤器（7）的一端上设有截止阀四（19）。

4.一种电子电路铜箔的表面硅烷化处理的恒浓度控制方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1 配置硅烷原液，控制室内温度为25℃，泡制用纯水，开启搅拌3小时；

S2 搅拌均匀后，硅烷原液通过离心泵运送到硅烷供给桶中，温度传感器监测其温度，压差变送器监测其液位；

S3 硅烷原液通过离心泵运送至过滤器进行过滤，过滤后的硅烷原液分成两路，一路通过超声波流量计监控运送到表面处理机进行铜箔的涂覆，另一路运送到轻元素X射线荧光分析仪，轻元素X射线荧光分析仪实时检测硅烷浓度，经过处理后的两路硅烷原液回到硅烷供给桶循环使用；

S4 轻元素X射线荧光分析仪监测硅烷浓度，并输出4-20mA电信号给DCS系统，DCS系统通过负反馈PID运算输出合适电信号使得蠕动泵调整功率来补加硅烷原液流量。

5.根据权利要求3所述的恒浓度控制方法，其特征在于，S3中所述铜箔的厚度为12-105μm。

6.根据权利要求3所述的恒浓度控制方法，其特征在于，所述硅烷原液中硅烷浓度为600-2500ppm。