[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法在审
| 申请号: | 202111654536.1 | 申请日: | 2021-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN114300544A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 李磊;许生根 | 申请(专利权)人: | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/868 | 分类号: | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 陈丽丽;曹祖良 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种快恢复二极管,其中,包括:N型衬底材料层,N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层,第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区,N型衬底材料层背离N型外延层的表面形成第一金属层,第一掺杂浓度的P型材料层背离N型外延层的表面形成第二金属层,第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度,且N型外延层靠近第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于N型外延层靠近N型衬底材料层的掺杂浓度。本发明还公开了一种快恢复二极管的制作方法。本发明提供的快恢复二极管能够提升可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 恢复 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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