[发明专利]半导体激光芯片失效分析方法在审
| 申请号： | 202111650300.0 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114486926A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 汪卫敏;吴淑娟;何晋国;胡海 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01R31/302 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 瞿璨 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。由于无需专门设备，仅使用显微镜即可解决激光芯片失效模式分析问题，从而降低了高功率半导体激光芯片失效分析成本；并且，显微镜是常用工具，不像专门设备，操作简单，无需专业技术人员即可操作，降低了高功率半导体激光芯片失效的门槛。并且，通过显微镜的暗场模式来直接观察所述外延层，保持了对失效区域高质量的成像，对推动高功率半导体激光芯片各项性能指标的研究有重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 芯片 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
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