[发明专利]半导体激光芯片失效分析方法

权利要求书

1.一种半导体激光芯片失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：

去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层；

通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位。

2.根据权利要求1所述的失效分析方法，其特征在于，所述去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层，包括：

将所述衬底进行蚀刻处理。

3.根据权利要求2所述的失效分析方法，其特征在于，在所述将所述衬底进行蚀刻处理之前，还包括：

将所述衬底进行预处理至预设的厚度。

4.根据权利要求3所述的失效分析方法，其特征在于，在所述将所述衬底进行蚀刻处理之前，还包括：

对所述预处理后的衬底进行调节至任意位置的厚度均相同。

5.根据权利要求4所述的失效分析方法，其特征在于，在所述对所述预处理后的衬底进行调节至任意位置的厚度均相同中，包括：

将所述预处理后的衬底的厚度进行分析，获得最小厚度及各处与最小厚度的厚度差；

对所述预处理后的衬底存在厚度差的表面处进行研磨、抛光、或研磨和抛光处理，直至所述衬底任意位置的厚度均与最小厚度相同。

6.根据权利要求4所述的失效分析方法，其特征在于，在所述对所述预处理后的衬底进行调节至任意位置的厚度均相同中，包括：

对所述预处理后的衬底的表面进行平面度检测；

根据所述平面度检测的结果，对所述预处理后的衬底的表面进行研磨、抛光、或研磨和抛光处理，直至所述衬底任意位置的厚度均与最小厚度相同。

7.根据权利要求3所述的失效分析方法，其特征在于，在所述将所述衬底进行预处理至预设的厚度中，包括：

将所述衬底进行研磨、抛光、或研磨和抛光处理，直至所述衬底的厚度至预设厚度。

8.根据权利要求5-7任一项所述的失效分析方法,其特征在于，所述研磨处理包括：使所述衬底的表面在研磨盘上做圆周运动；

所述抛光处理包括：使所述衬底的表面在抛光盘上做圆周运动。

9.根据权利要求1-7任一项所述的失效分析方法，其特征在于，在所述去除半导体激光芯片的衬底，直至露出所述半导体激光芯片的外延层之前，还包括：

去除所述半导体激光芯片的n面电极引线和n面金属电极。

10.根据权利要求9所述的失效分析方法，其特征在于，所述去除半导体激光芯片n面金属电极，包括：

通过研磨去除所述半导体激光芯片n面金属电极。

11.根据权利要求1-7任一项所述的失效分析方法，其特征在于，所述通过显微镜的暗场模式观察所述外延层，分析得出失效部位，包括：

通过金相显微镜的摄像头在屏幕上对所述外延层成像；

通过调节所述金相显微镜的光强和焦距，以得到所述外延层的图像；

检查所述外延层的图像，分析得出失效部位。