[发明专利]一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111640665.5 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114232094A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 徐家跃;田甜;张炎;潘芸芳;李志超;张彦;申慧;马云峰;陈媛芝 申请(专利权)人: 上海应用技术大学
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34;C30B11/14;C30B28/02;G01T1/202
代理公司: 重庆以知共创专利代理事务所(普通合伙) 50226 代理人: 钟亮
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于晶体生长技术领域,公开了一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法。特征是:(1)所述硅酸铋闪烁晶体为闪烁材料,铀离子以UO2形式掺入,可显著提高晶体的光输出,掺杂量为0.01~1mol%,所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi4Si3O12;(2)选用高纯SiO2、Bi2O3原料,根据化学计量比配料,采用固相烧结法制备Bi4Si3O12多晶料,然后按所述掺杂量向Bi4Si3O12多晶料中加入UO2,混合均匀并烧结,得到铀掺杂的Bi4Si3O12多晶料;(3)选择硅酸铋籽晶,将籽晶固定在坩埚底部的种井部位,将掺杂的多晶料装入坩埚并封口,移入陶瓷管中,置于区熔炉内,升温、保温、接种后以一定的速率下降生长,得到铀掺杂的高光输出硅酸铋闪烁晶体。
搜索关键词: 一种 掺杂 硅酸 闪烁 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海应用技术大学,未经上海应用技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111640665.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top