[发明专利]有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202111595855.X | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114284865B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 朱旭愿;剌晓波;梁松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源反馈DFB的制作方法，包括：在衬底上形成两个掩膜条、位于两个掩膜条中间的生长窗口，每个掩膜条包括有源区掩膜和反馈区掩膜，有源区掩膜的宽度大于反馈区掩膜的宽度；在生长窗口上依次形成缓冲层、有源层、光栅层、光栅覆盖层；由光栅层形成横向延伸的均匀光栅；在光栅覆盖层上依次形成包层、电接触层；由包层形成纵向延伸的倒台型脊波导、以及位于倒台型脊波导两侧的沟槽；在倒台型脊波导上形成电隔离区；在电接触层上形成电隔离层，在电隔离层、倒台型脊波导和沟槽上形成BCB覆层；刻蚀BCB覆层，使BCB覆层仅存在于方形掩膜，和倒台型脊波导两侧的沟槽内；在方形掩膜上制备Pad电极。本发明还提供一种利用上述方法制作的DFB激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 反馈 分布式 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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