[发明专利]一种用于提升MOCVD沉积效率的生产工艺在审
申请号: | 202111595436.6 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114262881A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 章鹏;冯仁;岳鹏;张爱兵;迮建军;古宏伟;蔡渊 | 申请(专利权)人: | 苏州新材料研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;徐律 |
地址: | 215124 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种用于提升MOCVD沉积效率的生产工艺,包括第一道工艺:以第一方向作为带材的运动方向进行走带,沿第一方向上依次包括有放卷室、MOCVD沉积工艺室和收卷室;第二道工艺:调整走带方向,以与第一方向相反的第二方向为带材的运动方向进行走带;其中MOCVD沉积工艺室内设有第一挡板、喷淋头、加热弧形板和第二挡板,第一挡板和第二挡板沿第一方向相对且间隔设置在MOCVD沉积工艺室的两侧,第一挡板和第二挡板均位于带材之上,喷淋头和加热弧形板位于第一挡板与第二挡板之间且喷淋头位于加热弧形板之上。采用多道走带方向相反的沉积工艺,可以将生产效率提高至少50%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 提升 mocvd 沉积 效率 生产工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州新材料研究所有限公司,未经苏州新材料研究所有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111595436.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的