[发明专利]一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 202111593228.2 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114284343B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张有润;罗茂久;吴登昊;孟繁新;陆超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，属于半导体器件技术领域。本发明的器件在传统JBS器件结构基础上采用了新型的P+区注入版图结构，增加了肖特基接触区域面积和肖特基结电流的同时，通过P+注入区条形图形增加了耗尽区面积，降低了碳化硅结势垒肖特基二极管在高温时的电流衰退和功率损耗增加，也防止了二极管肖特基区域增加后反向击穿电压的降低，解决了JBS器件在大电流高温下工作环境下正向工作电流衰退严重、功率损耗明显增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 高温 环境 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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