[发明专利]一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 202111593228.2 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114284343B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张有润;罗茂久;吴登昊;孟繁新;陆超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 高温 环境 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 | ||
1.一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，包括欧姆接触电极(5)、碳化硅N+衬底(1)、碳化硅N-外延层(2)、肖特基接触电极(4)和多个P+注入区(3)；
欧姆接触电极(5)、碳化硅N+衬底(1)和碳化硅N-外延层(2)从下至上依次层叠设置；多个P+注入区(3)设置在碳化硅N-外延层(2)的上层；肖特基接触电极(4)位于多个P+注入区(3)上；
其特征在于：P+注入区(3)包括方形注入区(6)和条形注入区(7)，条形注入区(7)沿横向和纵向等间距排布，横向上相邻条形注入区(7)之间的间距为c，纵向上相邻条形注入区(7)之间的间距为d，c＝d，方形注入区(6)位于相邻条形注入区(7)之间区域的中心，横向上相邻方形注入区(6)之间的间距为a，纵向上相邻方形注入区(6)之间的间距为b，a＝b，且c＞a，d＞b。
2.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：方形注入区(6)为正方形。
3.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：方形注入区(6)为边长2μm的正方型。
4.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：a＝b＝10μm。
5.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：条形注入区(7)的宽度e为1μm。
6.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：条形注入区(7)的边界和最邻近的方形注入区(6)的边界之间的距离为4.5μm，条形注入区(7)的宽度为e，即a/2-e/2＝4.5μm。
7.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：c＝d＝11μm。
8.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：方形注入区(6)和条形注入区(7)的掺杂浓度为5E19cm-3，注入深度为0.6微米。
9.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：欧姆接触电极(5)的材料为镍合金，肖特基接触电极(4)的材料为钛。
10.根据权利要求1所述的一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：碳化硅N-外延层(2)的掺杂浓度为1E16cm-3～2E16cm-3，厚度为5微米～6微米；
并且/或者碳化硅N+衬底(1)的掺杂浓度为1E20cm-3，厚度为180微米。
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