[发明专利]异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池在审
| 申请号: | 202111579299.7 | 申请日: | 2021-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN116344681A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | 陈曦;张达奇;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0216;C23C16/56;C23C16/40;C23C16/24 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: |
本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池,基于本发明所提供的异质结太阳能电池的制备方法,在制作硅衬底受光面的第一本征钝化膜时,由于氧化非晶硅层外沉积有本征非晶硅保护层,在采用H |
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| 搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





