[发明专利]一种芯片生产用的湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 202111578425.7 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114334724A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 牛立久;张雪奎;刘增增;周一雷;徐金鑫 | 申请（专利权）人： | 山东华楷微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 苏州金项专利代理事务所(普通合伙) 32456 | 代理人： | 金星 |
| 地址： | 276800 山东省日照市日照高新区高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，S1、设备的前期准备；S2、刻蚀输送带带动晶圆输送并停留在托盘上方的刻蚀工位；S3、托盘上升支托晶圆，再由旋转座带动托盘旋转；S4、刻蚀喷淋装置喷淋刻蚀液；S5、晶圆由刻蚀输送带输送至第一输送组件上，再输送至第二输送组件上；S6、当水洗检测传感器检测到晶圆时，喷射水洗装置对晶圆表面喷射超纯水；S8、上游输送装置将晶圆输送至干燥输送装置的干燥工位上，吸水套与晶圆下表面接触吸水干燥；气吹干燥装置对晶圆上表面气吹干燥；S9、下游输送装置将干燥的晶圆送出，该湿法刻蚀方法能够防止晶圆破裂，更彻底的清除晶圆表面残留的刻蚀液，更好的将晶圆彻底干燥，防止水痕产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 生产 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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