[发明专利]一种芯片生产用的湿法刻蚀方法

说明书

本发明公开了一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，S1、设备的前期准备；S2、刻蚀输送带带动晶圆输送并停留在托盘上方的刻蚀工位；S3、托盘上升支托晶圆，再由旋转座带动托盘旋转；S4、刻蚀喷淋装置喷淋刻蚀液；S5、晶圆由刻蚀输送带输送至第一输送组件上，再输送至第二输送组件上；S6、当水洗检测传感器检测到晶圆时，喷射水洗装置对晶圆表面喷射超纯水；S8、上游输送装置将晶圆输送至干燥输送装置的干燥工位上，吸水套与晶圆下表面接触吸水干燥；气吹干燥装置对晶圆上表面气吹干燥；S9、下游输送装置将干燥的晶圆送出，该湿法刻蚀方法能够防止晶圆破裂，更彻底的清除晶圆表面残留的刻蚀液，更好的将晶圆彻底干燥，防止水痕产生。

技术领域

本发明涉及一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，属于半导体芯片生产技术领域。

背景技术

晶圆是制造半导体芯片的基本材料，湿法刻蚀通过化学试剂去除硅片表面材料，一般湿法刻蚀工艺是在湿法刻蚀机上完成，其中湿法刻蚀机主要包括刻蚀装置、水洗装置以及干燥装置，但是目前的刻蚀装置是利用一个吸盘进行吸取固定晶圆后喷淋刻蚀液，晶圆到位时，吸盘上升吸取晶圆，从晶圆上方喷淋刻蚀液，刻蚀完送出腔体，运行过程中经常会出现吸盘上方晶圆破碎，导致大量的刻蚀液进入真空管道、电磁阀部分等，给设备造成比较严重的后果；

而后刻蚀完成后的晶圆需要进行水洗，而目前的水洗装置主要是晶圆进入到水洗室后，水洗室内的喷淋头对晶圆的表面进行喷淋，晶圆在输送的过程中完成水洗，然后晶圆上表面由于刻蚀之后就会形成一些沟槽，这些沟槽内部残留的刻蚀液是难以通过喷淋的方式水洗彻底的，因此，目前的水洗装置的水洗效果并不理想，一般解决的方式是增加水洗室的长度，以增加清洗时间，但是这样导致水洗室尺寸增加，同时也影响了效率，同时还不能确保晶圆上表面的图形沟槽内的刻蚀液彻底清除；

水洗完成后的将晶圆进行干燥处理，传统的干燥方式是等待25片晶圆全部出来再去甩干机或干燥箱干燥，这样的后果会导致先出来的晶圆因表面有水会造成腐蚀，由于去离子水呈现弱酸性，必须在短时间内完成干燥，而且在晶圆干燥时候都是接触到了其他东西，在接触的地方会存在干燥死角，就目前的研究现状来看，在干燥工序中最容易产生“水痕”和干燥死角，为了解决“水痕”和干燥死角的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，该湿法刻蚀方法能够完成晶圆的刻蚀、清洗以及干燥，防止晶圆破裂，更彻底的清除晶圆表面残留的刻蚀液，更好的将晶圆彻底干燥，防止水痕产生，有效减少对晶圆表面的腐蚀，提升生产质量，提高生产效率。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：

S1、设备的前期准备：

S11、提供一种湿法刻蚀机，该湿法刻蚀机包括晶圆湿法刻蚀装置，晶圆水洗装置和晶圆干燥装置；

所述晶圆湿法刻蚀装置包括第一机架，所述第一机架上安装有一对由第一输送动力装置驱动的刻蚀输送辊组，所述刻蚀输送辊组之间安装有若干条间隔的刻蚀输送带，所述第一机架上位于刻蚀输送带的上游端安装有将晶圆导入输送区域的刻蚀导向装置，所述刻蚀输送带的下方竖直升降安装有由升降动力装置驱动的升降座，所述升降座上绕竖直中心线转动安装有旋转座，所述旋转座由安装于升降座上的旋转电机驱动，所述旋转座上安装有方便从刻蚀输送带之间的空隙区域露出的用于支托晶圆的托盘，所述第一机架上位于刻蚀输送带的上方设置有喷淋刻蚀液的刻蚀喷淋装置；