[发明专利]上电极组件及半导体工艺腔室在审
| 申请号： | 202111563611.3 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114220752A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘建;王炳元 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 高东 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种上电极组件及半导体工艺腔室，所述上电极组件包括射频线圈(100)、供电装置和过温保护装置(300)；所述过温保护装置(300)包括盒体(310)和温度控制件(320)，所述温度控制件(320)设置于所述盒体(310)上，所述盒体(310)开设有内腔(310a)，所述射频线圈(100)的至少部分位于所述内腔(310a)中，所述射频线圈(100)与所述供电装置通过所述温度控制件(320)电连接，所述温度控制件(320)用于检测所述内腔(310a)的温度，当所述内腔(310a)的温度大于预设温度时，所述温度控制件(320)断路，以使所述射频线圈(100)与所述供电装置断路。上述方案能够解决半导体工艺腔室的安全性和可靠性较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 组件 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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