[发明专利]Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备在审
| 申请号： | 202111561564.9 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114284278A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 齐翔羽;杜怡行;顾林;王虎;张继亮 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备，其包括：在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；将PERI区的Dpoly去除；去除后生长一层Upoly；去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN；以及进行CG ET和GP ET，实现了采用具有较强填充性的D‑Poly工艺进行填充Cell CG,为避免D‑Poly影响PERI LOG的device性能；因此将CG D‑Poly和Gate U‑Poly区分Process,采用3层Poly DEP工艺方式提升Nor flash CG填充window。 | ||
| 搜索关键词： | nor flash 控制 填充 工艺 系统 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
