[发明专利]Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备在审
| 申请号： | 202111561564.9 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114284278A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 齐翔羽;杜怡行;顾林;王虎;张继亮 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nor flash 控制 填充 工艺 系统 设备 | ||
1.一种Nor flash控制栅填充工艺，其特征在于，包括：
在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；
将PERI区的Dpoly去除；
去除后生长一层Upoly；
去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN；以及
进行CG ET和GP ET。
2.如权利要求1所述的Nor flash控制栅填充工艺，其特征在于，
所述将PERI区的Dpoly去除的方法包括：
通过ONO ET将PER区的Dpoly去除。
3.如权利要求1所述的Nor flash控制栅填充工艺，其特征在于，
所述去除后生长一层Upoly的方法包括：
在PERI区的Dpoly去除后，调整PERI GOX的Stepheight后，并在调整后生长一层Upoly。
4.如权利要求1所述的Nor flash控制栅填充工艺，其特征在于，
所述去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN的方法包括：
使用ONO Mask负胶吃掉Cell区的Upoly，并用HPO去除掉LPSIN。
5.一种Nor flash控制栅填充系统，其特征在于，包括：
第一生长模块，在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；
Dpoly去除模块，将PERI区的Dpoly去除；
第二生长模块，去除后生长一层Upoly；
去除模块，去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN；以及
刻蚀模块，进行CG ET和GP ET。
6.一种Nor flash控制栅填充设备，其特征在于，
所述控制栅填充设备适于根据权利要求1所述的Nor flash控制栅填充工艺进行控制栅填充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
