[发明专利]Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备，其包括：在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；将PERI区的Dpoly去除；去除后生长一层Upoly；去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN；以及进行CG ET和GP ET，实现了采用具有较强填充性的D‑Poly工艺进行填充Cell CG,为避免D‑Poly影响PERI LOG的device性能；因此将CG D‑Poly和Gate U‑Poly区分Process,采用3层Poly DEP工艺方式提升Nor flash CG填充window。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备。

背景技术

NOR Flash是一种非易失闪存技术，4X NOR结构X-Pitch Shrink缩小15％以上,FG2FG之间的Space更小，55Nor目前U-Poly存在填充问题，如图1， CG DEP Void严重。

因此，基于上述技术问题需要设计一种新的Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备。

发明内容

本发明的目的是提供一种Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种Nor flash控制栅填充工艺，包括：

在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；

将PERI区的Dpoly去除；

去除后生长一层Upoly；

去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN；以及

进行CG ET和GP ET。

进一步，所述将PERI区的Dpoly去除的方法包括：

通过ONO ET将PER区的Dpoly去除。

进一步，所述去除后生长一层Upoly的方法包括：

在PERI区的Dpoly去除后，调整PERI GOX的Stepheight后，并在调整后生长一层Upoly。

进一步，所述去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN的方法包括：

使用ONO Mask负胶吃掉Cell区的Upoly，并用HPO去除掉LPSIN。

第二方面，本发明还提供一种Nor flash控制栅填充系统，包括：

第一生长模块，在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；

Dpoly去除模块，将PERI区的Dpoly去除；

第二生长模块，去除后生长一层Upoly；

去除模块，去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN；以及

刻蚀模块，进行CG ET和GP ET。

第三方面，本发明还提供一种Nor flash控制栅填充设备，