[发明专利]单面异质结电池及其制作方法

摘要

本申请公开了一种单面异质结电池及其制作方法。单面异质结电池包括：硅片基体、第一非晶硅膜、第二非晶硅膜、第一导电层、第二导电层、钝化层和背场层，第一非晶硅膜设置于硅片基体的受光面；第二非晶硅膜设置于硅片基体的背光面；第一导电层设置于第一非晶硅膜的上侧；第二导电层设置于第二非晶硅膜的下侧；钝化层设置于第二导电层的下侧；背场层设置于钝化层的下侧；其中，第二导电层的厚度小于第一导电层的厚度。在硅片基体的背光面设置背场层，利用背场层较佳的导电能力减少制备导电层所需的昂贵靶材的用量，使背光面侧的第二导电层的厚度小于受光面侧的第一导电层的厚度，从而降低电池生产成本。