[发明专利]单面异质结电池及其制作方法

说明书

本申请公开了一种单面异质结电池及其制作方法。单面异质结电池包括：硅片基体、第一非晶硅膜、第二非晶硅膜、第一导电层、第二导电层、钝化层和背场层，第一非晶硅膜设置于硅片基体的受光面；第二非晶硅膜设置于硅片基体的背光面；第一导电层设置于第一非晶硅膜的上侧；第二导电层设置于第二非晶硅膜的下侧；钝化层设置于第二导电层的下侧；背场层设置于钝化层的下侧；其中，第二导电层的厚度小于第一导电层的厚度。在硅片基体的背光面设置背场层，利用背场层较佳的导电能力减少制备导电层所需的昂贵靶材的用量，使背光面侧的第二导电层的厚度小于受光面侧的第一导电层的厚度，从而降低电池生产成本。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种单面异质结电池及其制作方法。

背景技术

异质结电池在电池转换效率、多结电池、工艺步骤、温度系数、双面率等方面都具有比常规晶体硅电池无可比拟的优势，因此被认为是最热门的下一代电池之一。相关技术中，异质结电池因为其制作导电层的靶材中含有众多贵金属而存在生产成本高昂的问题。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种单面异质结电池，通过在硅片基体背光面设置背场层，能够减少制备电池导电层的靶材用量，从而降低电池生产成本。

本申请还提出一种单面异质结电池的制作方法。

根据本申请的第一方面实施例的单面异质结电池，包括：硅片基体；第一非晶硅膜，所述第一非晶硅膜设置于所述硅片基体的受光面；第二非晶硅膜，所述第二非晶硅膜设置于所述硅片基体的背光面；第一导电层，所述第一导电层设置于所述第一非晶硅膜的上侧；第二导电层，所述第二导电层设置于所述第二非晶硅膜的下侧；钝化层，所述钝化层设置于所述第二导电层的下侧；背场层，所述背场层设置于所述钝化层的下侧；其中，所述第二导电层的厚度小于所述第一导电层的厚度。

根据本申请实施例的单面异质结电池，至少具有如下有益效果：基于传统的异质结电池结构，在硅片基体的背光面设置背场层，利用背场层较佳的导电能力减少制备导电层所需的昂贵靶材的用量，使背光面侧的第二导电层的厚度小于受光面侧的第一导电层的厚度，从而降低电池生产成本。

根据本申请的一些实施例，还包括正面电极和背面电极，所述正面电极设置于所述第一导电层的上侧，所述背面电极设置于所述背场层的下侧。

根据本申请的一些实施例，所述正面电极包括栅线，所述栅线用于传输光生电流。

根据本申请的一些实施例，所述第一导电层的厚度为60纳米至120纳米，所述第二导电层的厚度为10纳米至60纳米，所述第二导电层的厚度不大于所述第一导电层的厚度的一半。

根据本申请的一些实施例，所述第一非晶硅膜和所述第二非晶硅膜的厚度均为10纳米至20纳米，所述钝化层的厚度为10纳米至50纳米，所述背场层的厚度为0.2微米至20微米。

根据本申请的第二方面实施例的单面异质结电池的制作方法，包括：提供硅片基体；在所述硅片基体的受光面、背光面分别沉积第一非晶硅膜、第二非晶硅膜；在所述第一非晶硅膜的上侧沉积第一导电层；在所述第二非晶硅膜的下侧依次沉积第二导电层和钝化层；在所述钝化层的下侧蒸镀背场层；其中，所述第二导电层的厚度小于所述第一导电层的厚度。

根据本申请的一些实施例，还包括：在所述第一导电层的上侧制备正面电极；在所述背场层的下侧制备背面电极。

根据本申请的一些实施例，所述正面电极和所述背面电极均为使用丝网印刷工艺制备的银电极，所述正面电极包括栅线，所述栅线用于传输光生电流。

根据本申请的一些实施例，所述第一导电层为使用磁控溅射的方式沉积的一层厚度为60纳米至120纳米的TCO膜，所述第二导电层为使用磁控溅射的方式沉积的一层厚度为10纳米至60纳米的TCO膜，所述第二导电层的厚度不大于所述第一导电层的厚度的一半。