[发明专利]氮化镓发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 202111543401.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114141915B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 徐平;许孔祥;冯磊;黄胜蓝 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;刘伊旸 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化镓发光二极管的制备方法，涉及半导体领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后在其上面沉积SiO |
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| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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