[发明专利]有源矩阵基板在审

专利信息
申请号: 202111519776.0 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN114639687A 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 原健吾;大东彻;菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;高畑仁志 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;刘宁军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种有源矩阵基板,具备包含多个第1TFT的多个氧化物半导体TFT,各氧化物半导体TFT的氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域以及漏极接触区域,沟道区域具有相互相对的第1端部和第2端部、位于这两个端部的源极接触区域侧的源极侧端部、以及位于这两个端部的漏极接触区域侧的漏极侧端部,各第1TFT还具有位于氧化物半导体层与基板之间的遮光层,遮光层包含开口区域和遮光区域,当从基板的法线方向观察时,遮光区域包含位于第1端部的第1遮光部和位于第2端部的第2遮光部,第1遮光部和第2遮光部分别具有相互相对的第1缘部和第2缘部,第1缘部的至少一部分与沟道区域重叠,第2缘部位于沟道区域的外侧,不与沟道区域重叠。
搜索关键词: 有源 矩阵
【主权项】:
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