[发明专利]有源矩阵基板

说明书

一种有源矩阵基板，具备包含多个第1TFT的多个氧化物半导体TFT，各氧化物半导体TFT的氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域以及漏极接触区域，沟道区域具有相互相对的第1端部和第2端部、位于这两个端部的源极接触区域侧的源极侧端部、以及位于这两个端部的漏极接触区域侧的漏极侧端部，各第1TFT还具有位于氧化物半导体层与基板之间的遮光层，遮光层包含开口区域和遮光区域，当从基板的法线方向观察时，遮光区域包含位于第1端部的第1遮光部和位于第2端部的第2遮光部，第1遮光部和第2遮光部分别具有相互相对的第1缘部和第2缘部，第1缘部的至少一部分与沟道区域重叠，第2缘部位于沟道区域的外侧，不与沟道区域重叠。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板。

背景技术

用于显示装置的有源矩阵基板包含：显示区域，其包含多个像素区域；以及显示区域以外的非显示区域(也称为“边框区域”或“周边区域”。)。像素区域是与显示装置的像素对应的区域。在各像素区域配置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下为“TFT”)作为开关元件。

近年来，提出了使用氧化物半导体替代非晶硅或多晶硅作为TFT的活性层的材料。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能够以比非晶硅TFT快的速度动作。另外，氧化物半导体膜由比多晶硅膜更简便的工艺形成，因此，还能应用于需要大面积的装置。

虽然氧化物半导体TFT大多是底栅型TFT，但也提出了顶栅型的氧化物半导体TFT。例如专利文献1公开了在氧化物半导体层的一部分上隔着栅极绝缘层配置有栅极电极的顶栅型TFT。

有时在有源矩阵基板的非显示区域单片(一体)地形成栅极驱动器等驱动电路。通过单片地形成驱动电路，从而实现非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。例如，有时在非显示区域中单片地形成栅极驱动电路，以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式安装源极驱动电路。

在智能电话等窄边框化的要求高的设备中，提出了除了栅极驱动器之外还单片地形成源极切换(Source Shared Driving：SSD；源极共享驱动)电路等多路分配电路。SSD电路是从来自源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多个源极总线分配显示信号的电路。通过SSD电路的搭载，能够使非显示区域中的配置端子部的区域(端子部形成区域)进一步变窄。另外，来自源极驱动器的输出数量减少，能够减小电路规模，因此能够降低驱动IC的成本。

驱动电路、SSD电路等周边电路包含有TFT。在本说明书中，将在显示区域的各像素中作为开关元件配置的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外，将电路TFT之中的在SSD电路中用作开关元件的TFT称为“SSD电路用TFT”，将用于栅极驱动电路的TFT称为“栅极驱动电路用TFT”。在将氧化物半导体TFT用作像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工艺的观点出发，希望形成与像素TFT使用相同的氧化物半导体膜的氧化物半导体TFT作为电路TFT。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/085591号

发明内容

发明要解决的问题

经本发明的发明人研究，在形成于有源矩阵基板上的一部分TFT中，由于有源矩阵基板的驱动，其阈值电压有可能向正方向偏移(正向偏移)。其结果是，无法得到所希望的TFT特性，存在有源矩阵基板的可靠性降低的可能性。例如，在SSD电路用TFT、或一部分栅极驱动电路用TFT中，阈值电压的正向偏移易于变大。详细内容将后述。

本发明的一实施方式提供具备能抑制阈值电压的正向偏移的氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。