[发明专利]一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111519076.1 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114388663A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 高江东;张建立;李丹;郑畅达;王小兰;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底先进行表面改性处理：将做改性处理的所述表面先进行铺Al，得到铺Al层，在所述铺Al层表面上在700‑900度下生长一层低温AlN层，然后升温到1100‑1350度生长高温AlN层。本发明对Si衬底表面改性后先生长低温AlN层再生长高温AlN层，使得AlN薄膜表面无孔洞，同时AlN薄膜中的螺位错明显降低，有利于制备高性能的AlN及AlGaN基器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 孔洞 aln 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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