[发明专利]一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111519076.1 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114388663A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 高江东;张建立;李丹;郑畅达;王小兰;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 孔洞 aln 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）、在MOCVD反应室内对Si衬底进行高温表面改性处理；
（2）、在改性过的Si衬底表面上铺Al，得到铺Al层；
（3）、在铺Al层上生长一层低温AlN层；
（4）、在低温AlN层上生长高温AlN层。
2.根据权利要求1所述的Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤1中，所述高温表面改性处理为：将MOCVD反应室升温至1100-1350℃，向反应室通入氨气，并处理20-60分钟。
3.根据权利要求1所述的Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤3中，所述低温AlN层的生长温度为700度--900度，生长厚度为75-300Å。
4.根据权利要求1所述的Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤4中，所述的高温AlN层的生长温度为1100度-1300度。
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