[发明专利]发光芯片制作方法及发光芯片在审
| 申请号： | 202111515102.3 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203877A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘权锋;刘丹丹;陈大旭 | 申请（专利权）人： | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/50;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 赵月芬 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光芯片制作方法，通过在基底上生长出分布有V型坑的外延层，然后在V型坑中填充光色转换材料，在外延层远离基底的一面装设LED芯片，通过LED芯片发出第一光色的光，再由光色转换材料将第一光色的光转换成第二光色的光，实现了利用第一光色的芯片来制作第二光色的芯片，可以适用于采用制作工序简单的芯片来制作通过现有技术制作复杂的芯片，例如，制作红光倒装芯片等，达到简化制作工艺、节约制备成本的效果。而且，本发明通过V型坑来容纳和限制光色转换材料，可以限制光色转换材料的位置，确保制成的发光芯片具有稳定的发光性能。另，本发明还公开一种采用该制作方法制成的发光芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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