[发明专利]发光芯片制作方法及发光芯片

说明书

本发明公开一种发光芯片制作方法，通过在基底上生长出分布有V型坑的外延层，然后在V型坑中填充光色转换材料，在外延层远离基底的一面装设LED芯片，通过LED芯片发出第一光色的光，再由光色转换材料将第一光色的光转换成第二光色的光，实现了利用第一光色的芯片来制作第二光色的芯片，可以适用于采用制作工序简单的芯片来制作通过现有技术制作复杂的芯片，例如，制作红光倒装芯片等，达到简化制作工艺、节约制备成本的效果。而且，本发明通过V型坑来容纳和限制光色转换材料，可以限制光色转换材料的位置，确保制成的发光芯片具有稳定的发光性能。另，本发明还公开一种采用该制作方法制成的发光芯片。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光芯片制作方法及发光芯片。

背景技术

近年来，发光二极管(LED)成为最受重视的光源技术。LED芯片有正装芯片和倒装芯片，对于正装芯片来说，在使用时，是先将正装芯片固定到基板上，然后打金线，最后封装荧光胶，由于其在封装过程中需要打金线以及固定芯片，工序比较复杂，且正装芯片的电极焊盘较小，容易出现连接不可靠的情况；而倒装芯片则无须打线，焊接强度高，相较于正装芯片更加易于实现高密度集成。

然而，倒装芯片的制作相较于正装芯片更为复杂。显示屏所用的红绿蓝(RGB)三色芯片中，蓝光和绿光的倒装芯片相对容易实现，这两种倒装芯片都属于蓝宝石衬底的芯片。但红光的倒装芯片的衬底是GaAs而非蓝宝石，GaAs衬底不透明，为了实现倒装芯片所需的正面出光，必须经过衬底转移，将红光外延层转移到蓝宝石衬底，再将GaAs衬底剥离，然后才能进行其它后续工序，制作过程复杂，最终也导致红光的倒装芯片成本高昂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光芯片制作方法及发光芯片，能在一定程度上减少红光倒装芯片的制作成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种发光芯片制作方法，包括步骤：

S1，在基底上生长出分布有V型坑(V-pits)的外延层；

S2，在所述外延层的V型坑中填充光色转换材料，所述光色转换材料用于将光从第一光色转换成第二光色；

S3，在所述外延层远离所述基底的一面装设用于发出具有所述第一光色的光的至少一LED芯片，并使所述至少一LED芯片的电极背离所述外延层。

在一些实施例中，步骤S1中，“在基底上生长出分布有V型坑的外延层”包括：在基底上生长出分布有V型坑的GaN外延层。

在一些实施例中，步骤S1中，“在基底上生长出分布有V型坑的外延层”包括：在880-980℃的温度环境，V族元素与III族元素的比率为10-100，150-650torr的高压环境下，利用氢化物气相外延法在所述基底上生长出分布有V型坑的外延层。

在一些实施例中，步骤S1中，“在基底上生长出分布有V型坑的外延层”包括：在所述基底上覆盖用于限制所述外延层的生长方向的掩膜，所述掩膜上具有多个贯穿所述掩膜的网孔和形成所述网孔的遮挡部，所述遮挡部用于阻挡所述外延层的生长，使所述外延层具有多个凹陷；在所述基底上生长出分布有V型坑的外延层；移走所述掩膜；步骤S2中，还在所述多个凹陷填充所述光色转换材料。

在一些实施例中，步骤S3中，“在所述外延层远离所述基底的一面装设用于发出具有所述第一光色的光的至少一LED芯片”包括：在所述外延层远离所述基底的一面粘贴固定用于发出具有所述第一光色的光的至少一LED芯片。

在一些实施例中，所述LED芯片为经过剥离工艺剥离部分结构后的芯片，所述LED芯片包括依次设置的N型层、发光层及P型层，所述N型层面向所述发光层的一面、所述P型层背离所述发光层的一面分别设有所述电极；步骤S3中，“在所述外延层远离所述基底的一面装设用于发出具有所述第一光色的光的至少一LED芯片”包括：将所述至少一LED芯片的N型层背离所述发光层的一面与所述外延层远离所述基底的一面固定。