[发明专利]晶圆的传片位置调整方法及装置在审
| 申请号： | 202111508493.6 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203597A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 田云龙;野沢俊久;李晶 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;G06T7/00;G06T7/66;G06T7/70 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 110171 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的传片位置调整方法及装置，应用于对所述晶圆的加热过程，所述调整方法包括：通过三维拍摄装置获取所述晶圆的第一局部图像，根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置；通过所述三维拍摄装置获取对所述晶圆进行加热的加热器的第二局部图像，根据所述第二局部图像确定所述加热器的第二中心位置；计算所述第一中心位置和所述第二中心位置在水平方向的间隔距离，根据所述间隔距离与预设距离阈值的大小，调整所述晶圆的传片位置，本发明能够在对晶圆进行加热的过程中检测晶圆的位置并对应调整，提高了晶圆加工工艺的片内均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 位置 调整 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
