[发明专利]晶圆的传片位置调整方法及装置在审
申请号: | 202111508493.6 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114203597A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 田云龙;野沢俊久;李晶 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G06T7/00;G06T7/66;G06T7/70 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 调整 方法 装置 | ||
1.一种晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,应用于对所述晶圆的加热过程,所述调整方法包括:
通过三维拍摄装置获取所述晶圆的第一局部图像,根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置;
通过所述三维拍摄装置获取对所述晶圆进行加热的加热器的第二局部图像,根据所述第二局部图像确定所述加热器的第二中心位置;
计算所述第一中心位置和所述第二中心位置在水平方向的间隔距离,根据所述间隔距离与预设距离阈值的大小,调整所述晶圆的传片位置。
2.根据权利要求1所述的晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,所述根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置,包括:
根据所述第一局部图像获取所述晶圆在边缘的任意一段第一弧线;
根据所述第一弧线计算出所述晶圆的圆心位置;
将所述晶圆的圆心位置作为所述第一中心位置。
3.根据权利要求2所述的晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,所述根据所述第一弧线计算出所述晶圆的圆心位置,包括:
获取所述第一弧线上的任意三个第一位置点;
根据三个所述第一位置点获取所述晶圆的晶圆轮廓圆的圆心位置;
将所述晶圆轮廓圆的圆心位置作为所述第一中心位置。
4.根据权利要求1所述的晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,所述根据所述第二局部图像确定所述加热器的第二中心位置,包括:
根据所述第二局部图像获取所述加热器在边缘的任意一段第二弧线;
根据所述第二弧线计算出所述加热器的圆心位置;
将所述加热器的圆心位置作为所述第二中心位置。
5.根据权利要求4所述的晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,所述根据所述第二弧线计算出所述加热器的圆心位置,包括:
获取所述第二弧线上的任意三个第二位置点;
根据三个所述第二位置点获取所述晶圆的晶圆轮廓圆的圆心位置;
将所述晶圆轮廓圆的圆心位置作为所述第二中心位置。
6.根据权利要求1所述的晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,所述计算所述第一中心位置和所述第二中心位置在水平方向的间隔距离,包括:
所述根据所述间隔距离与预设距离阈值的大小,调整所述晶圆的传片位置,包括:
在确定所述间隔距离大于所述预设距离阈值后,调整所述晶圆的传片位置以减小所述间隔距离;
在确定所述间隔距离小于或等于所述预设距离阈值后,保持所述晶圆的传片位置不变。
7.根据权利要求6所述的晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,所述调整所述晶圆的传片位置以减小所述间隔距离,包括:
调整所述晶圆的传片位置,以使得所述第一中心位置靠近所述第二中心位置,并获取调整后的所述晶圆的第三中心位置,以使得所述第三中心位置与所述第二中心位置之间的距离小于或等于所述预设距离阈值。
8.根据权利要求7所述的晶圆的传片位置调整方法,其特征在于,所述调整所述晶圆的传片位置以减小所述间隔距离,还包括:
将所述晶圆的第一中心位置调整至所述第二中心位置重合。
9.一种晶圆的传片位置调整装置,其特征在于,包括三维拍摄装置、加热腔室和晶圆调整装置,所述三维拍摄装置安装在所述加热腔室外部,所述晶圆调整装置与所述加热腔室连接;
其中,所述加热腔室内部设置有若干个加热器,所述加热器用于加热晶圆,所述三维拍摄装置用于获取所述晶圆的第一局部图像和所述加热器的第二局部图像,并根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置,根据所述第二局部图像确定所述加热器的第二中心位置,并获取第一中心位置和第二中心位置在水平方向的间隔距离,所述晶圆调整装置用于根据所述间隔距离与预设距离阈值的大小调整所述晶圆的传片位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造