[发明专利]晶圆的传片位置调整方法及装置在审
申请号: | 202111508493.6 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114203597A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 田云龙;野沢俊久;李晶 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G06T7/00;G06T7/66;G06T7/70 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 调整 方法 装置 | ||
本发明提供了一种晶圆的传片位置调整方法及装置,应用于对所述晶圆的加热过程,所述调整方法包括:通过三维拍摄装置获取所述晶圆的第一局部图像,根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置;通过所述三维拍摄装置获取对所述晶圆进行加热的加热器的第二局部图像,根据所述第二局部图像确定所述加热器的第二中心位置;计算所述第一中心位置和所述第二中心位置在水平方向的间隔距离,根据所述间隔距离与预设距离阈值的大小,调整所述晶圆的传片位置,本发明能够在对晶圆进行加热的过程中检测晶圆的位置并对应调整,提高了晶圆加工工艺的片内均匀性。
技术领域
本发明涉及半导体工艺腔体设计技术领域,尤其涉及一种晶圆的传片位置调整方法及装置。
背景技术
在对晶圆的加工工艺中,传片的公共路径包括设备前端模块(Equipment FrontEnd Module,EFEM),真空锁(load lock,LL)腔体组件、晶圆传输模块(Transfer Module,TM)和过程模块(process module,PM),晶圆从晶圆传输模块传输到过程模块后,需要对每一个位置的晶圆进行传片校准,以确保每次晶圆在经过机械手进入到过程模块内部的加热腔室内部,再经过定位装置放到加热器上之后,恰好放在加热器的中心位置,但是这种校准只能在常温条件下进行,在常温真空条件下,调节传片位置后,开腔进行晶圆确认,是否与加热盘中心对准。而在高温加热的条件下,由于加热腔室无法开腔,从而导致无法准确获得晶圆在加热盘上的位置是否准确,以至于不能对晶圆的传片位置进行调整,从而影响晶圆加热效果,影响晶圆加工的片内均匀性。
因此,有必要提供一种新型的晶圆的传片位置调整方法及装置以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆的传片位置调整方法及装置,能够在对晶圆进行加热的过程中检测晶圆的位置并对应调整,提高了晶圆加工工艺的片内均匀性。
为实现上述目的,本发明的所述一种晶圆的传片位置调整方法,应用于对所述晶圆的加热过程,所述调整方法包括:
通过三维拍摄装置获取所述晶圆的第一局部图像,根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置;
通过所述三维拍摄装置获取对所述晶圆进行加热的加热器的第二局部图像,根据所述第二局部图像确定所述加热器的第二中心位置;
计算所述第一中心位置和所述第二中心位置在水平方向的间隔距离,根据所述间隔距离与预设距离阈值的大小,调整所述晶圆的传片位置。
本发明所述的晶圆的传片位置调整方法的有益效果在于:在将晶圆传输到加热器上进行加热之后,通过三维拍摄装置分别获取晶圆的第一局部图像和加热器的第二局部图像,并分别获取晶圆的第一中心位置和加热器的第二中心位置,在计算出第一中心位置和第二中心位置的间隔距离之后,通过比较间隔距离与预设距离阈值的大小,对晶圆的传片位置进行调整,从而保证晶圆能够准确落在加热器上方,从而提高加热器的加热效果,以提高晶圆加工工艺的片内均匀性。
可选的,所述根据所述第一局部图像确定所述晶圆的第一中心位置,包括:
根据所述第一局部图像获取所述晶圆在边缘的任意一段第一弧线;
根据所述第一弧线计算出所述晶圆的圆心位置;
将所述晶圆的圆心位置作为所述第一中心位置。其有益效果在于:通过三维拍摄装置采集的第一局部图像,以便于根据第一局部图像中的第一弧形确定晶圆的圆心位置。
可选的,所述根据所述第一弧线计算出所述晶圆的圆心位置,包括:
获取所述第一弧线上的任意三个第一位置点;
根据三个所述第一位置点获取所述晶圆的晶圆轮廓圆的圆心位置;
将所述晶圆轮廓圆的圆心位置作为所述第一中心位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造