[发明专利]多腔室清洗方法和半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202111498391.0 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114360997A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 尹凌风;张军;王帅伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种多腔室清洗方法和半导体工艺设备，其中多腔室清洗方法应用于包括多个腔室的半导体工艺设备，各个腔室共用一个气体检测装置，该多腔室清洗方法包括：S410，对各腔室同时进行清洗工艺；S420，采用气体检测装置循环检测处于清洗状态的各腔室中，检测对象在气体生成物中的浓度，并在检测对象的浓度小于设定浓度时，判定对应的腔室清洗完成。本申请能够提高半导体工艺设备各个腔室的清洗效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多腔室 清洗 方法 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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