[发明专利]嵌入式闪存器件结构及其制作方法

摘要

本申请提供嵌入式闪存器件结构的制造方法，包括：沉积浮栅氮化硅层，刻蚀去除第一窗口区域的浮栅氮化硅层，沉积第一氧化硅层去除第二窗口区域的第一氧化硅层形成第一侧墙，刻蚀控制栅多晶硅和介质层，沉积第一氮化硅层形成第二侧墙，沉积第二层氧化硅、第二层氮化硅作为第三侧墙、第四侧墙；以浮栅氮化硅层、第一侧墙、第二侧墙、第三侧墙以及第四侧墙为硬质掩膜对浮栅多晶硅层进行第一次刻蚀；去除第四侧墙以及第三侧墙；形成字线及字线介质层；去除浮栅氮化硅层，以第一侧墙、第二侧墙以及字线介质层为刻蚀掩膜自对准对控制栅多晶硅层、介质层以及浮栅多晶硅层进行第二次刻蚀。通过增加浮栅的长度，增加了字线和浮栅的耦合率。