[发明专利]具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法有效
| 申请号： | 202111492929.7 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114420758B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王曦;解勇涛;李佳思;孙佳威;许建宁;夏浩玮 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王奇 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高阈值电压的SiC MOSFET，在衬底上表面依次外延有耐压外延层、电流扩展外延层；电流扩展外延层上表面间隔嵌有多个第一p阱区，每个第一p阱区中包围有一个第二p阱区；每个第三p阱区对应遮蔽一个第二p阱区下表面；每个第二p阱区上表面嵌有一个n+源区；相邻第一p阱区之间的电流扩展外延层上表面，依次间隔嵌有p+屏蔽区和一个p+发射区；还包括栅氧化层、多晶硅栅及钝化介质层；另外还包括源极/漏极欧姆接触金属、隔离介质层、源极/栅极/漏极PAD金属。本发明还公开了上述SiC MOSFET的制造方法。本发明SiC MOSFET，阈值电压更高，导通特性与阻断特性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 sic mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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