[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法在审
申请号: | 202111489498.9 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114388673A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 兰叶;朱广敏;王江波 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括:基板、发光结构、第一焊点块、第二焊点块和缓冲结构;发光结构位于基板的表面,第一焊点块、第二焊点块和缓冲结构均位于发光结构的远离基板的表面,第一焊点块和第二焊点块分别与发光结构的两个电极连接;第一焊点块和第二焊点块间隔分布,缓冲结构位于第一焊点块和第二焊点块之间,缓冲结构部分嵌入第一焊点块内,部分嵌入第二焊点块内,第一焊点块和第二焊点块均与缓冲结构绝缘。本公开实施例能改善芯片上两焊点块之间区域因受应力而出现形变的问题,保证芯片的发光效果。 | ||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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