[发明专利]一种LDMOS器件的制备方法及器件在审
| 申请号： | 202111472259.2 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114267729A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 宋婉;许昭昭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，其中，提供一第一型半导体材质的衬底，形成已连续的多晶硅栅层；分割所述多晶硅栅层，使所述多晶硅栅层分成对应所述阱区的第一多晶硅栅层及对应所述漂移区的第二多晶硅栅层；通过一第一掩膜同时对所述源漏掺杂区及所述第一多晶硅栅层进行第二型半导体离子重掺杂，以及，通过一第二掩膜同时对所述第一型半导体离子重掺杂区及所述第二多晶硅栅层进行第一型半导体离子重掺杂。本发明技术方案的有益效果为：显著降低了沟道的最大场强以及碰撞电离，大大改善了热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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