[发明专利]闪存器件编程操作方法和装置在审
| 申请号： | 202111472233.8 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114284365A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 曹谢元;吴苑;王冠军;徐杰;高超 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种闪存器件编程操作方法和用于执行存储单元进行编程读操作的装置。该方法包括以下依次进行的步骤：提供闪存器件的存储单元，存储单元包括硅基底，硅基底上形成栅极结构，栅极结构包括述第一介质层和浮栅，第一介质层与硅基底的上表面接触，浮栅设于第一介质层上；第一介质层与硅基底接触面位置处捕获有带正电荷的粒子；对存储单元进行第一次编程写操作，使得带负电荷的自由电子流入浮栅中；对存储单元进行烘烤操作，使得浮栅中带负电荷的自由电子与接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得浮栅中带负电荷的自由电子减少；对存储单元进行第二次编程写操作，使得带负电荷的自由电子再次流入浮栅中，使得浮栅中带负电荷的自由电子增多。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 编程 操作方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111472233.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
