[发明专利]闪存器件编程操作方法和装置

权利要求书

1.一种闪存器件编程操作方法，其特征在于，所述闪存器件编程操作方法包括以下依次进行的步骤：

提供所述闪存器件的存储单元，所述存储单元包括硅基底，所述硅基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括述第一介质层和浮栅，所述第一介质层与所述硅基底的上表面接触，所述浮栅设于所述第一介质层上；所述第一介质层与所述硅基底接触面位置处捕获有带正电荷的粒子；

对所述存储单元进行第一次编程写操作，使得带负电荷的自由电子流入所述浮栅中；

对所述存储单元进行烘烤操作，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子与所述接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子减少；

对所述存储单元进行第二次编程写操作，使得带负电荷的自由电子再次流入所述浮栅中，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子增多。

2.如权利要求1所述的闪存器件编程操作方法，其特征在于，对所述存储单元进行烘烤操作，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子与所述接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子减少的步骤，包括：

以50℃至300℃温度，对所述存储单元进行烘烤12小时至72小时，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子与所述接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子减少。

3.如权利要求1所述的闪存器件编程操作方法，其特征在于，在所述对所述存储单元进行第二次编程写操作，使得带负电荷的自由电子再次流入所述浮栅中，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子增多的步骤完成后，还进行：

再次对所述存储单元进行烘烤操作，所述浮栅中带负电荷的自由电子不再变化；

对所述存储单元进行编程读操作。

4.如权利要求3所述的闪存器件编程操作方法，其特征在于，所述再次对所述存储单元进行烘烤操作，所述浮栅中带负电荷的自由电子不再变化的步骤，包括：

以150℃至250℃温度，对所述存储单元进行烘烤24小时至72小时，所述浮栅中带负电荷的自由电子不再变化。

5.如权利要求1所述的闪存器件编程操作方法，其特征在于，所述在所述栅极结构还包括设于所述浮栅上的第二介质层和设于所述第二介质层上的控制栅；

在所述栅极结构两侧的所述硅基底中分别形成源极和漏极。

6.如权利要求5所述的对所述存储单元进行编程读操作，其特征在于，所述对所述存储单元进行第一次编程写操作，使得带负电荷的自由电子流入所述浮栅中的步骤，包括：

通过对所述存储单元的源极进行沟道热载流子注入，对所述存储单元进行第一次编程写操作，使得带负电荷的自由电子流入所述浮栅。

7.一种用于执行存储单元进行编程读操作的装置，其特征在于，所述用于执行存储单元进行编程读操作的装置能够执行如权利要1至6中任意一项权利要求所述的用于执行存储单元进行编程读操作的装置。