[发明专利]闪存器件编程操作方法和装置

说明书

本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种闪存器件编程操作方法和用于执行存储单元进行编程读操作的装置。该方法包括以下依次进行的步骤：提供闪存器件的存储单元，存储单元包括硅基底，硅基底上形成栅极结构，栅极结构包括述第一介质层和浮栅，第一介质层与硅基底的上表面接触，浮栅设于第一介质层上；第一介质层与硅基底接触面位置处捕获有带正电荷的粒子；对存储单元进行第一次编程写操作，使得带负电荷的自由电子流入浮栅中；对存储单元进行烘烤操作，使得浮栅中带负电荷的自由电子与接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得浮栅中带负电荷的自由电子减少；对存储单元进行第二次编程写操作，使得带负电荷的自由电子再次流入浮栅中，使得浮栅中带负电荷的自由电子增多。

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种闪存器件编程操作方法和用于执行存储单元进行编程读操作的装置。

背景技术

闪存(Flash)是一种不挥发性内存，可以对存储单元(cell)进行编程操作(Program)。其中，编程操作包括写操作和读操作，在对闪存器件执行编程写操作时，可以通过存储单元的源端沟道热载流子注入工艺，使得电子流入存储单元的浮栅中，使得该浮栅中存储负电荷，从而存储单元的存储状态被编程为“0”。在该操作后会进行读操作以读出在前写操作写入存储单元中的数据。

但是若浮栅下的氧化层和硅基底层之间的界面位置处存在缺陷，该界面位置处会捕获正电荷，在读操作进行前，该正电荷会移动与浮栅中的负电荷结合，使得浮栅中的自由电子变少。

自由电子变少后的浮栅，会导致后续对该存储单元的读“0”操作失效，使得不能正确读出在前对该存储单元的写操作数据。

发明内容

本申请提供了一种闪存器件编程操作方法和装置，可以解决相关技术中因浮栅下的氧化层和硅基底层之间的界面位置处存在缺陷，导致对存储单元读“0”操作失效的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请的第一方面提供一种闪存器件编程操作方法，所述闪存器件编程操作方法包括以下依次进行的步骤：

提供所述闪存器件的存储单元，所述存储单元包括硅基底，所述硅基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括述第一介质层和浮栅，所述第一介质层与所述硅基底的上表面接触，所述浮栅设于所述第一介质层上；所述第一介质层与所述硅基底接触面位置处捕获有带正电荷的粒子；

对所述存储单元进行第一次编程写操作，使得带负电荷的自由电子流入所述浮栅中；

对所述存储单元进行烘烤操作，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子与所述接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子减少；

对所述存储单元进行第二次编程写操作，使得带负电荷的自由电子再次流入所述浮栅中，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子增多。

可选地，对所述存储单元进行烘烤操作，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子与所述接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子减少的步骤，包括：

以50℃至300℃温度，对所述存储单元进行烘烤12小时至72小时，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子与所述接触面位置处带正电荷的粒子结合，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子减少。

可选地，在所述对所述存储单元进行第二次编程写操作，使得带负电荷的自由电子再次流入所述浮栅中，使得所述浮栅中带负电荷的自由电子增多的步骤完成后，还进行：

再次对所述存储单元进行烘烤操作，所述浮栅中带负电荷的自由电子不再变化；

对所述存储单元进行编程读操作。

可选地，所述再次对所述存储单元进行烘烤操作，所述浮栅中带负电荷的自由电子不再变化的步骤，包括：