[发明专利]肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111472098.7 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114038904A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 王韬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括衬底；中间层，设于衬底的上侧，中间层包括自下向上依次层叠设置的外延层和氧化层，中间层上开设有上下延伸的沟槽，沟槽延伸至外延层内部；栅氧化层，设于沟槽的内侧壁，并在沟槽内限定出通道；多晶硅层，设于通道内，包括自下向上依次叠设的第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层和第二多晶硅层其中之一为高阻多晶硅层，其中另一为低阻多晶硅层，高阻多晶硅层的电阻大于低阻多晶硅层的电阻；以及势垒金属层，设于氧化层的上侧，且覆盖沟槽的槽口设置。本发明提出的肖特基二极管，通过高阻多晶硅层和低阻多晶硅层，能够明显降低导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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