[发明专利]肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

衬底；

中间层，设于所述衬底的上侧，所述中间层包括自下向上依次层叠设置的外延层和氧化层，所述中间层上开设有上下延伸的沟槽，所述沟槽延伸至所述外延层内部；

栅氧化层，设于所述沟槽的内侧壁，并在所述沟槽内限定出通道；

多晶硅层，设于所述通道内，包括自下向上依次叠设的第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层其中之一为高阻多晶硅层，其中另一为低阻多晶硅层，所述高阻多晶硅层的电阻大于所述低阻多晶硅层的电阻；以及，

势垒金属层，设于所述氧化层的上侧，且覆盖所述沟槽的槽口设置。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多晶硅层设置有多个，多个所述多晶硅层沿上下向依次层叠设置。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层的厚度为

4.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述高阻多晶硅层的电阻大于10⁶Ω；和/或，

所述低阻多晶硅层的电阻为0.001～9Ω；和/或，

所述多晶硅层的上表面与所述中间层的上表面平齐设置；和/或，

所述第一多晶硅层为高阻多晶硅层，所述第二多晶硅层为低阻多晶硅层。

5.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述低阻多晶硅层的材质包括P型多晶硅或N型多晶硅，所述P型多晶硅中掺杂有硼和铝的至少一种，所述N型多晶硅中掺杂有磷和砷的至少一种。

6.一种如权利要求1至5任意一项所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供衬底，并在衬底的上侧制备外延层；

S20、在所述外延层的上侧制备氧化层，以形成中间层；

S30、在所述中间层上刻蚀形成沟槽；

S40、在所述沟槽的内侧壁制备栅氧化层，以使所述栅氧化层在所述沟槽内限定出通道；

S50、采用高密度等离子体淀积技术，在所述通道内和所述氧化层的上侧制备多晶硅层；

S60、采用表面平坦化技术，将所述氧化层上侧的多晶硅层去除；

S70、在所述氧化层和所述沟槽的上侧制备势垒金属层。

7.如权利要求6所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，步骤S30包括：

S31、在所述氧化层的上侧旋涂光刻胶后，曝光以暴露出沟槽刻蚀窗口，刻蚀氧化层，在所述氧化层上形成第一槽；

S32、将所述光刻胶去除，在所述外延层上刻蚀第二槽，所述第一槽和所述第二槽共同构成沟槽。

8.如权利要求6所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，步骤S50包括：

S51、采用高密度等离子体淀积技术，在所述沟槽内和所述氧化层的上侧制备多晶硅；

S52、在所述多晶硅的上侧进行离子注入，使离子至少部分穿通所述多晶硅，以将所述多晶硅分为注入离子的低阻多晶硅层和未注入离子的高阻多晶硅层；

S53、重复步骤S51和S52，完成多晶硅层的制备。

9.如权利要求8所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，在步骤S51中，所述多晶硅的厚度为0.5～2μm。

10.如权利要求8所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，在步骤S52中，

所述离子注入的剂量为10¹³～10¹⁶cm^-2；和/或，

所述离子注入的能量为30～120KeV。