[发明专利]一种晶圆基座、化学气相沉积设备及使用方法在审
| 申请号： | 202111458261.4 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN116230615A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 庄宇峰;陶珩 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;C23C16/52;C23C16/46;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张双红;包姝晴 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆基座、化学气相沉积设备及使用方法，所述晶圆基座，包括：加热器，用于对待处理晶圆进行加热；若干个凸台，间隔设置于所述加热器上；每一所述凸台的一端与所述加热器连接；且每一所述凸台暴露于所述加热器上方的高度可调节，以使每一所述凸台的另一端支撑所述晶圆。本发明通过调节每一凸台暴露于加热器上方的高度，可以使晶圆基座支撑不同类型的晶圆并调整晶圆上的热量分布，从而保证不同类型的晶圆皆受热均匀及受力均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基座 化学 沉积 设备 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111458261.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
