[发明专利]一种晶圆基座、化学气相沉积设备及使用方法

权利要求书

1.一种晶圆基座，其特征在于，包括：

加热器，用于对待处理晶圆进行加热；

若干个凸台，间隔设置于所述加热器上；每一所述凸台的一端与所述加热器连接；且每一所述凸台暴露于所述加热器上方的高度可调节，以使每一所述凸台的另一端可以支撑所述晶圆。

2.如权利要求1所述的晶圆基座，其特征在于，所述加热器上表面设有若干个螺纹孔，且每一所述凸台的一端旋入对应的所述螺纹孔内。

3.如权利要求2所述的晶圆基座，其特征在于，每一所述凸台为螺纹杆；所述螺纹杆的一端旋入对应的所述螺纹孔内，另一端与所述晶圆的背面接触并支撑所述晶圆；且每一所述螺纹杆通过在对应的所述螺纹孔内旋入或旋出，以对应调节所述螺纹杆暴露于所述加热器上方的高度。

4.如权利要求3所述的晶圆基座，其特征在于，每一所述凸台还包括：固定杆；每一所述固定杆的一端设置在对应的所述螺纹杆远离所述加热器的一端上，所述固定杆的另一端与所述晶圆的背面接触并支撑所述晶圆。

5.如权利要求4所述的晶圆基座，其特征在于，每一所述固定杆靠近所述螺纹杆的一端设有一限位部。

6.如权利要求4所述的晶圆基座，其特征在于，所有所述固定杆的高度相同。

7.如权利要求2所述的晶圆基座，其特征在于，所有所述螺纹孔呈矩阵排列。

8.如权利要求2所述的晶圆基座，其特征在于，所有所述螺纹孔排列成一个或一个以上的同心圆阵列，且每一所述同心圆阵列上所有所述螺纹孔间隔设置。

9.如权利要求4所述的晶圆基座，其特征在于，所述螺纹杆和所述固定杆的材料皆为导热材料，且所述螺纹杆和所述固定杆的热膨胀系数皆与所述加热器的热膨胀系数相同。

10.如权利要求4所述的晶圆基座，其特征在于，所述螺纹杆和所述固定杆的材料皆为涂覆类金刚石碳涂层的陶瓷。

11.如权利要求1所述的晶圆基座，其特征在于，在所述凸台与所述晶圆之间形成的间隙内和所述晶圆下方未安装凸台的区域内通入吹扫气体。

12.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：化学气相沉积反应腔；如权利要求1～11中任意一项所述的晶圆基座，且所述晶圆基座设置于所述化学气相沉积反应腔的内部底部；检测装置，其包括激光发射器、高温计以及信号探测装置。

13.一种如权利要求12所述的化学气相沉积设备中晶圆基座的使用方法，其特征在于，包括：

激光发射器发射的光被晶圆表面反射；

信号探测装置接收反射光的光强信号来判定晶面的翘曲程度，以基于获得的翘曲程度信息调整每一凸台的高度使所述凸台的一端支撑晶圆；

高温计检测晶圆表面受热情况，以基于获得的受热情况信息调整每一凸台接触或不接触晶圆。

14.如权利要求13所述的化学气相沉积设备中晶圆基座的使用方法，其特征在于，

所述晶圆翘曲时，使每一所述凸台暴露于加热器上方的高度等于对应的所述晶圆背面与所述加热器上表面之间的高度，以使每一所述凸台支撑翘曲的晶圆。

15.如权利要求13所述的化学气相沉积设备中晶圆基座的使用方法，其特征在于，

所述凸台包含固定杆和固定杆靠近螺纹杆一端的限位部，所述晶圆平整时，使每一所述固定杆的限位部与加热器抵接，以使每一所述凸台支撑平整的晶圆。

16.如权利要求13所述的化学气相沉积设备中晶圆基座的使用方法，其特征在于，

所述晶圆局部区域受热过高时，选择调整该区域对应的凸台远离晶片；所述晶圆局部区域受热不足时，选择调整该区域对应的凸台靠近或接触晶片。