[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法在审
申请号: | 202111432634.0 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114121961A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 华文宇;张帜;刘藩东 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张瑞;唐嘉 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种动态随机存取存储器及其形成方法,包括:第一衬底,第一衬底具有第一面和第二面,第一衬底包括若干有源区,各有源区均包括沟道区和字线区;位于字线区内的字线栅结构;位于每个所述字线区内的第一隔离结构;位于每个所述沟道区内的第二隔离结构;位于沟道区第一面内的第一源漏掺杂区;位于第一面上的电容结构;位于沟道区第二面内的第二源漏掺杂区;位于第二面上的位线层;与若干位线、若干导电层以及若干电容结构电连接的若干引线层,引线层自第二面向第一面延伸。通过将电容结构和位线层排布在第一衬底不同面,能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度,能够有效减小单个存储结构占用的面积,提升存储器的存储密度,而且降低引线工艺难度。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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