[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202111432634.0 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN114121961A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 华文宇;张帜;刘藩东 申请(专利权)人: 芯盟科技有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张瑞;唐嘉
地址: 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种动态随机存取存储器及其形成方法,包括:第一衬底,第一衬底具有第一面和第二面,第一衬底包括若干有源区,各有源区均包括沟道区和字线区;位于字线区内的字线栅结构;位于每个所述字线区内的第一隔离结构;位于每个所述沟道区内的第二隔离结构;位于沟道区第一面内的第一源漏掺杂区;位于第一面上的电容结构;位于沟道区第二面内的第二源漏掺杂区;位于第二面上的位线层;与若干位线、若干导电层以及若干电容结构电连接的若干引线层,引线层自第二面向第一面延伸。通过将电容结构和位线层排布在第一衬底不同面,能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度,能够有效减小单个存储结构占用的面积,提升存储器的存储密度,而且降低引线工艺难度。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 及其 形成 方法
【主权项】:
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