[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法

说明书

一种动态随机存取存储器及其形成方法，包括：第一衬底，第一衬底具有第一面和第二面，第一衬底包括若干有源区，各有源区均包括沟道区和字线区；位于字线区内的字线栅结构；位于每个所述字线区内的第一隔离结构；位于每个所述沟道区内的第二隔离结构；位于沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；位于第一面上的电容结构；位于沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；位于第二面上的位线层；与若干位线、若干导电层以及若干电容结构电连接的若干引线层，引线层自第二面向第一面延伸。通过将电容结构和位线层排布在第一衬底不同面，能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度，能够有效减小单个存储结构占用的面积，提升存储器的存储密度，而且降低引线工艺难度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其形成方法。

背景技术

随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案。

通常，动态随机存取存储器是由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。

然而，现有的动态随机存取存储器仍存在诸多问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，能够有效降低工艺难度，以及提升存储器的存储密度。

为解决上述问题，本发明提供一种动态随机存取存储器，包括：第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底包括沿第一方向排列的存储阵列区和若干字线引线区，所述存储阵列区位于相邻的所述字线引线区之间，所述存储阵列区内具有若干相互分立且平行于第二方向的有源区，若干所述有源区沿所述第一方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述有源区均包括若干字线区和若干沟道区，且每个所述有源区中的若干所述字线区和若干所述沟道区沿所述第二方向间隔排列；位于每个所述字线区内的字线栅沟槽，所述字线栅沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅沟槽沿所述第一方向贯穿所述有源区；位于每个所述字线栅沟槽内且相互分立的两个字线栅结构；位于每个所述字线栅沟槽内两个所述字线栅结构之间的第一隔离结构；位于每个所述沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；位于所述第一面上的若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂区电连接；位于每个所述沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；位于所述第二面上的若干平行于所述第二方向的位线，每个所述位线与一个所述有源区中的若干所述第二源漏掺杂区电连接；位于所述第一衬底内的若干导电层，每个所述导电层与一个所述字线栅结构电连接，且若干所述导电层之间相互绝缘；分别与若干所述位线、若干所述导电层以及若干所述电容结构电连接的若干引线层，所述引线层自所述第二面向所述第一面延伸。

可选的，还包括：位于所述第二面上的第一隔离层，所述第一隔离层覆盖若干所述位线，且若干所述引线层贯穿所述第一隔离层。

可选的，还包括：位于相邻的所述有源区之间的第二隔离层，所述第二隔离层自所述第一面向所述第二面的方向贯穿所述第一衬底。

可选的，还包括：位于所述字线栅沟槽底部的平坦层，所述字线栅结构位于所述平坦层上。

可选的，所述平坦层的材料包括绝缘介质材料；所述绝缘介质材料包括：氧化硅。

可选的，所述第二源漏掺杂区的深度大于或等于所述字线栅结构与所述第一衬底的第二面之间的间距。

可选的，所述字线栅结构包括：位于所述字线栅沟槽侧壁和底部表面的字线栅介质层、以及位于所述字线栅介质层上的字线栅层。

可选的，所述第一隔离结构与所述第二面之间的间距小于或等于所述字线栅结构与所述第二面之间的间距。