[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底包括沿第一方向排列的存储阵列区和若干字线引线区，所述存储阵列区位于相邻的所述字线引线区之间，所述存储阵列区内具有若干相互分立且平行于第二方向的有源区，若干所述有源区沿所述第一方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述有源区均包括若干字线区和若干沟道区，且每个所述有源区中的若干所述字线区和若干所述沟道区沿所述第二方向间隔排列；

位于每个所述字线区内的字线栅沟槽，所述字线栅沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅沟槽沿所述第一方向贯穿所述有源区；

位于每个所述字线栅沟槽内且相互分立的两个字线栅结构；

位于每个所述字线栅沟槽内两个所述字线栅结构之间的第一隔离结构；

位于每个所述沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；

位于所述第一面上的若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂区电连接；

位于每个所述沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；

位于所述第二面上的若干平行于所述第二方向的位线，每个所述位线与一个所述有源区中的若干所述第二源漏掺杂区电连接；

位于所述第一衬底内的若干导电层，每个所述导电层与一个所述字线栅结构电连接，且若干所述导电层之间相互绝缘；

分别与若干所述位线、若干所述导电层以及若干所述电容结构电连接的若干引线层，所述引线层自所述第二面向所述第一面延伸。

2.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述第二面上的第一隔离层，所述第一隔离层覆盖若干所述位线，且若干所述引线层贯穿所述第一隔离层。

3.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于相邻的所述有源区之间的第二隔离层，所述第二隔离层自所述第一面向所述第二面的方向贯穿所述第一衬底。

4.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述字线栅沟槽底部的平坦层，所述字线栅结构位于所述平坦层上。

5.如权利要求4所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述平坦层的材料包括绝缘介质材料；所述绝缘介质材料包括：氧化硅。

6.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二源漏掺杂区的深度大于或等于所述字线栅结构与所述第一衬底的第二面之间的间距。

7.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线栅结构包括：位于所述字线栅沟槽侧壁和底部表面的字线栅介质层、以及位于所述字线栅介质层上的字线栅层。

8.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一隔离结构与所述第二面之间的间距小于或等于所述字线栅结构与所述第二面之间的间距。

9.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂区上的第一导电插塞，每个所述电容结构与一个所述第一导电插塞电连接。

10.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：若干第二导电插塞，若干所述第二导电插塞分别将每个所述位线与对应的一个所述有源区内的若干所述第二源漏掺杂区电连接。

11.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述电容结构包括：上电极层、下电极层和位于上电极层与下电极层之间的介电层；所述引线层电连接所述电容结构的上电极层表面或下电极层表面。

12.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述沟道区内的第二隔离结构。