[发明专利]一种电子级金刚石的制备方法有效
| 申请号： | 202111409587.8 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114086253B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 彭国令;苗建国;曹光宇;冯文强;范旅龙 | 申请（专利权）人： | 航天科工（长沙）新材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C23C16/02;C23C16/27;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 安娜 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区文轩路*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子级金刚石的制备方法，包括以下步骤：对金刚石籽晶进行微波等离子体刻蚀处理，得到刻蚀预处理籽晶；在所述刻蚀预处理籽晶的(100)面，微波等离子体辅助CVD生长单晶金刚石过渡层；在所述单晶金刚石过渡层表面微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石。本发明提供的方法采用分步生长的方式，首先生长出一定厚度的过渡层单晶金刚石，所述单晶金刚石过渡层能够将由于金刚石籽晶衬底的缺陷修正，然后再采用微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石，最终制备出杂质含量低于2ppm的电子级单晶金刚石材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】：
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