[发明专利]一种半导体材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111404027.3 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN113929586A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 王艳宁;佟亮;万敏;刘静苑;曹龙文;陈立庄 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: C07C211/63 分类号: C07C211/63;C07C209/68
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 212008 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体材料及其制备方法,该半导体材料的结构通式中R=H,Br,Cl或F,即其分子式为C30H48Cl9N3Sb2、C30H45Br3Cl9N3Sb2、C30H45Cl12N3Sb2和C30H45Cl9F3N3Sb2,该半导体材料为晶体结构;该半导体材料的制备方法为将含Sb3+的可溶性化合物和BTAB衍生物混合采用溶液自然挥发溶剂自组装制得材料。本发明公开的半导体材料,热分解温度点相对较高,晶体颗粒均匀;同时其制备工艺简单、易操作、原料来源充足、生产成本低、产率高以及重复性好。
搜索关键词: 一种 半导体材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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