[发明专利]一种半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体材料，其特征在于，具有以下结构通式：

其中R＝H,Br,Cl或F，该半导体材料为晶体结构。

2.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，在296K温度下，所述结构通式中R＝H的半导体材料属于单斜晶系；所述结构通式中R＝Br，Cl或F的半导体材料均属于三斜晶系。

3.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，在296K温度下，所述结构通式中R＝H的半导体材料属于P2₁/c空间群；所述结构通式中R＝Br,Cl或F的半导体材料均属于P-1空间群。

4.一种权利要求1所述的半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将含Sb³⁺的可溶性盐用盐酸溶解，BTAB或BTAB的衍生物缓慢加入有机溶剂搅拌溶解，然后再将两溶液相互融合，搅拌均匀后静置，即得到半导体材料。

5.根据权利要求4所述的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述含Sb³⁺的可溶性盐为氯化锑金属盐。

6.根据权利要求4所述的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述含Sb³⁺的可溶性盐与BTAB或BTAB的衍生物的摩尔比为1：1-1：2。

7.根据权利要求4所述的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述搅拌时间为30-60min，搅拌温度为30-40℃。

8.根据权利要求4所述的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述静置时间为2-3周。

9.根据权利要求4所述的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇或乙腈。