[发明专利]一种雪崩光电二极管阵列探测器

摘要

本发明提供一种雪崩光电二极管阵列探测器，包括第一导电类型衬底层、PN结、隔离结构、至少一阳极引出端及阴极引出端，其中，第一导电类型半导体层位于第一导电类型衬底层上，PN结位于第一导电类型半导体层中，且PN结在水平面上的投影具有间隔区域；隔离结构位于第一导电类型半导体层中，并位于PN结间隔区域，且隔离结构不与PN结接触。本发明中，单像素的PN结在水平面上的投影具有间隔区域，这样单像素的PN结宽度总和减少，由于整个PN结区域及PN结之间的区域都可以吸收入射光子，且由于重掺杂的第二导电类型掺杂层的减少会提高部分短波长光子的吸收，所以不会影响雪崩光电二极管的光子探测效率，且同时降低了单像素的暗电流或暗计数率。